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2021年，Intel宣布了全新的制造工艺路线图，包括Intel 7、4、3、20A、18A，其中20A、18A将引领进入埃米时代，并同时采用PowerVia背面供电、RibbonFET全环绕栅极两大全新技术。

6月6日消息，Intel官方宣布，率先在代号为“Blue Sky Creek”产品级测试芯片上实现了背面供电技术，将于2024年上半年在Intel 20A工艺节点上正式落地。

传统的正面供电技术，信号走线、供电走线都位于晶圆的正面，需要共享甚至争夺每一个金属层的资源，必须竭力扩大金属层引脚间距，进而增加成本和复杂度。

背面供电技术，则将信号走线、供电走线分离，后者转移到晶圆背面，可以分别单独优化，带来更高性能、更低成本，不过也面临良品率、可靠性。散热、调试等各方面的挑战。

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